s
19 708 Pages

la variation de la tension induite par la lumière Il est une technique de analyse des défauts de semi-conducteurs qui utilise une source laser ou une lumière dans la longueur d'onde dell 'infrarouge pour induire des altérations de tension dans un dispositif tout en explorant avec un faisceau de lumière à sa surface. La technique repose sur la génération de paires électron-lacune dans le matériau semi-conducteur lorsqu'elle est exposée à photons.

opération

Le dispositif en cours de test est fourni avec un générateur de courant constante. Lorsque la source de lumière explore la surface semi-conductrice, des paires de gap électrons sont générés. Cela provoque une légère modification des caractéristiques de fonctionnement du dispositif, ce qui peut entraîner de légères variations de la tension d'alimentation. ces variations sont enregistrées et en corrélation avec la position de la source de lumière sur le dispositif. Ceci permet de localiser les positions physiques correspondant aux fluctuations de l'alimentation et de fournir un dispositif de carte, ce qui permet d'identifier les positions des défauts.[1]

notes

  1. ^ Cole et al. 2004, pp. 412-414

bibliographie

  • Ed Cole et al., Localisation DÉFAUT base de faisceau Méthodes, en Micro-électronique Analyse des défaillances, Parc des matériaux, ASM International, 2004 ISBN 0-87170-804-3.